ESD与EOS失效案例分享
目前，在电子元器件失效分析领域，我们发现ESD&EOS导致的失效现象越来越普遍，尤其是在半导体行业发展日益兴盛的大背景下，对ESD&EOS的关注与日俱增。上一篇文章ESD与EOS知识速递，着重介绍了ESD与EOS的概念与差异。本篇内容主要涉及两者在实际情况中的失效表现，其中选取了部分典型失效案例进行呈现。
ESD案例分享
1、静电释放（ESD）导致的失效主要表现为即时失效与延时失效两种模式
| 即时失效 | 延时失效 |
| 即时失效又称突发失效，指的是元器件受到静电放电损伤后，突然完全或部分丧失其规定的功能。一般较容易通过功能检测发现。 |
延时失效又称潜在失效，指静电放电能量较低，或放电回路有限流电阻，仅造成轻微损伤，器件电参数可能仍然合格或略有变化。
一般不容易通过功能检测发现，而且失效后很难通过技术手段确认。 |
2、相关案例
分析结论：不良发生位置集中于CF表偏贴合端子部的左边，距离离子棒约50cm。因距离过大，离子棒对此位置的除静电能力有弱化。
EOS案例分享
1、失效表现：EOS的碳化面积较大，一般过功率烧毁会出现原始损伤点且由这点有向四周辐射的裂纹，且多发于器件引脚位置。
2、相关案例
1）样品开封发现，样品晶圆位置均发现有烧伤痕迹，击穿位置树脂高温碳化，为过流过压导致。
失效图示
2）击穿验证之后进行开封检测，发现复现样品晶圆位置均发现有烧伤痕迹，与异常品失效发生类似。
分析结论：
a.晶圆表面发现有过流过压击穿的痕迹，即树脂高温碳化；
b.DC直流电源加压到18V，TVS管被击穿短路，复现品晶圆位置失效与异常品类似。
c.9V样品取下滤波电容，使其输出不稳定，TVS被击穿，短路失效。
d.据此判断，TVS管为过压导致失效，样品输出不稳定时有击穿TVS管的可能。
