LED蓝灯失效分析

一、案例背景

LED 灯珠出现不亮、暗亮的情况,且样品安装前在仓库存放了一个月、安装后过了3-6个月才被点亮。

 

 

二、分析过程

1、X-RAY检测

对PCBA样品失效LED的X-RAY检测,未发现烧损、键合异常,以及异物等现象,内部状态良好。

 

取样进行X-RAY检测,将NG品与OK品进行比对,未见明显异常(烧损、键合异常、异物等)。

 

 

2、LED失效特征分析

 

1)VF测试:在未通电的状态下,对在板上的蓝色LED的VF值进行测试。测试结果如下:

 

状态

LED在板状态

不亮灯

1.054

暗亮1

1.098

暗亮2

1.273

OK灯

1.310

 

 

从测试的数据可见,异常LED位置的蓝灯VF值偏低(在板状态测试)。

 

2.压降测试:在蓝灯亮起的状态下,测试蓝灯对应的PCB焊盘之间的压降。

 

状态

LED在板状态

LED取下后

不亮灯

2.017

4.57

暗亮1

2.346

4.58

暗亮2

2.365

4.58

OK灯

2.546

/

取下LED1

(直接测试焊盘)

4.58

/

取下LED2

(直接测试焊盘)

4.58

/

 

 

以上测试数据表明,异常LED位置的蓝灯压降偏低。将LED取下后,测试板上的供电电压正常,从而初步可以判断PCB供电无异常。

 

3.反向漏电流测试:失效LED的IR值均超出了规格要求的10μA以下,OK品测试为0μA,说明LED存在漏电失效特征

 

 

3. LED溶胶分析

利用溶胶剂,对不亮灯、暗灯、NG品及OK品进行溶胶分析,发现不亮灯、暗亮及NG样品均发现有银迁移失效,OK品无银迁移问题。

1.溶胶后显微外观分析:通过显微镜分析LED内部晶元与键合部分,均未见明显异常

 

 

2.溶胶后SEM分析:不亮灯、暗灯及NG样品在晶元面以及侧壁位置发现有明显的迁移晶枝,且晶枝生长方向均为晶元面向下往支架面方向。

 

3.对晶枝进行EDS成分分析

晶元面上的异物成分分析:不亮灯及暗灯样品,晶元表面的异物成分均含有Ag,主要为Ga、Ti、Si,说明存在Ag迁移的问题

晶枝状成分分析:晶枝状物质主要为Ag,证明了存在Ag迁移失效

 

4. LED染色试验后切片分析

将LED放入染色液体中,进行沸煮(水浴锅100℃)2h,取出冷却至常温(约10分钟左右),清洗后制作切片(剖面/平面),进行研磨分析,确认墨水渗透情况。

1.染色后切片断面分析

切片断面金相分析

将NG品切片研磨至位置1(未到晶元),发现引线结合部有染色,说明封装存在缝隙。

 

 

研磨至晶元位置,发现支架结合部有染色,晶元边缘无染色现象。

 

②切片断面SEM分析

 

 

通过SEM分析发现,引线与树脂有墨水渗入,说明晶元与树脂结合位置存在缝隙,为Ag迁移提供了条件和通道。

 

2.染色后平面研磨分析

 

蓝色区域整体有染色现象,红色LED键合盘位置(支架)有染色现象。

 

 

三、分析结果

综合以上分析,结合LED的内部结合状态检测结果、晶元与树脂的结合程度的分析,判断导致LED失效的根本原因为LED封装存在Ag迁移通道,引起Ag迁移失效。具体失效解析如下:

1.模组的存放及工作环境潮湿;

2.树脂与引线、芯片结合面存在缝隙,为Ag提供了迁移通道;

3.LED点灯产生的压差存在。