LED蓝灯失效分析
一、案例背景
LED 灯珠出现不亮、暗亮的情况,且样品安装前在仓库存放了一个月、安装后过了3-6个月才被点亮。
二、分析过程
对PCBA样品失效LED的X-RAY检测,未发现烧损、键合异常,以及异物等现象,内部状态良好。
取样进行X-RAY检测,将NG品与OK品进行比对,未见明显异常(烧损、键合异常、异物等)。
2、LED失效特征分析
状态 |
LED在板状态 |
不亮灯 |
1.054 |
暗亮1 |
1.098 |
暗亮2 |
1.273 |
OK灯 |
1.310 |
从测试的数据可见,异常LED位置的蓝灯VF值偏低(在板状态测试)。
2.压降测试:在蓝灯亮起的状态下,测试蓝灯对应的PCB焊盘之间的压降。
状态 |
LED在板状态 |
LED取下后 |
不亮灯 |
2.017 |
4.57 |
暗亮1 |
2.346 |
4.58 |
暗亮2 |
2.365 |
4.58 |
OK灯 |
2.546 |
/ |
取下LED1 (直接测试焊盘) |
4.58 |
/ |
取下LED2 (直接测试焊盘) |
4.58 |
/ |
以上测试数据表明,异常LED位置的蓝灯压降偏低。将LED取下后,测试板上的供电电压正常,从而初步可以判断PCB供电无异常。
3.反向漏电流测试:失效LED的IR值均超出了规格要求的10μA以下,OK品测试为0μA,说明LED存在漏电失效特征。
3. LED溶胶分析
利用溶胶剂,对不亮灯、暗灯、NG品及OK品进行溶胶分析,发现不亮灯、暗亮及NG样品均发现有银迁移失效,OK品无银迁移问题。
1.溶胶后显微外观分析:通过显微镜分析LED内部晶元与键合部分,均未见明显异常。
2.溶胶后SEM分析:不亮灯、暗灯及NG样品在晶元面以及侧壁位置发现有明显的迁移晶枝,且晶枝生长方向均为晶元面向下往支架面方向。
3.对晶枝进行EDS成分分析
①晶元面上的异物成分分析:不亮灯及暗灯样品,晶元表面的异物成分均含有Ag,主要为Ga、Ti、Si,说明存在Ag迁移的问题。
②晶枝状成分分析:晶枝状物质主要为Ag,证明了存在Ag迁移失效。
4. LED染色试验后切片分析
将LED放入染色液体中,进行沸煮(水浴锅100℃)2h,取出冷却至常温(约10分钟左右),清洗后制作切片(剖面/平面),进行研磨分析,确认墨水渗透情况。
1.染色后切片断面分析
①切片断面金相分析
将NG品切片研磨至位置1(未到晶元),发现引线结合部有染色,说明封装存在缝隙。
研磨至晶元位置,发现支架结合部有染色,晶元边缘无染色现象。
②切片断面SEM分析
通过SEM分析发现,引线与树脂有墨水渗入,说明晶元与树脂结合位置存在缝隙,为Ag迁移提供了条件和通道。
2.染色后平面研磨分析
蓝色区域整体有染色现象,红色LED键合盘位置(支架)有染色现象。
三、分析结果
综合以上分析,结合LED的内部结合状态检测结果、晶元与树脂的结合程度的分析,判断导致LED失效的根本原因为LED封装存在Ag迁移通道,引起Ag迁移失效。具体失效解析如下:
1.模组的存放及工作环境潮湿;
2.树脂与引线、芯片结合面存在缝隙,为Ag提供了迁移通道;
3.LED点灯产生的压差存在。